#1 |
数量:350 |
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最小起订量:50 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:100 |
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最小起订量:50 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:1444 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
IPx80N06S4L-07 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 6.7 mOhm @ 80A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 40µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 75nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5680pF @ 25V |
功率 - 最大 | 79W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
P( TOT ) | 79W |
匹配代码 | IPP80N06S4L-07 |
安装 | THT |
R( THJC ) | 1.9K/W |
LogicLevel | YES |
包装 | TO220-3 |
单位包 | 500 |
标准的提前期 | 17 weeks |
最小起订量 | 500 |
Q(克) | 58nC |
LLRDS (上) | 0.0113Ohm |
汽车 | AEC-Q(100) |
LLRDS (上)在 | 4.5V |
我(D ) | 80A |
V( DS ) | 60V |
的RDS(on ) at10V | 0.0064Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 80A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 40µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 6.7 mOhm @ 80A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 79W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 5680pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 75nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
系列 | IPP80N06S4L |
零件号别名 | IPP80N06S4L07AKSA1 SP000415710 |
RoHS | RoHS Compliant |
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