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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPP80N06S4L-07 

产品描述

MOSFET N-Channel 60V MOSFET

内部编号

173-IPP80N06S4L-07

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:350
50+¥4.009
100+¥3.8475
250+¥3.6955
500+¥3.5625
1000+¥3.4485
最小起订量:50
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:100
50+¥4.009
100+¥3.8475
250+¥3.6955
500+¥3.5625
1000+¥3.4485
最小起订量:50
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:1444
1+¥7.5898
10+¥6.0992
100+¥4.6838
500+¥4.1368
1000+¥3.2684
2500+¥2.8992
10000+¥2.7829
25000+¥2.6052
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPP80N06S4L-07产品详细规格

规格书 IPP80N06S4L-07 datasheet 规格书
IPx80N06S4L-07
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 80A
Rds(最大)@ ID,VGS 6.7 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 40µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 75nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 5680pF @ 25V
功率 - 最大 79W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube
P( TOT ) 79W
匹配代码 IPP80N06S4L-07
安装 THT
R( THJC ) 1.9K/W
LogicLevel YES
包装 TO220-3
单位包 500
标准的提前期 17 weeks
最小起订量 500
Q(克) 58nC
LLRDS (上) 0.0113Ohm
汽车 AEC-Q(100)
LLRDS (上)在 4.5V
我(D ) 80A
V( DS ) 60V
的RDS(on ) at10V 0.0064Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 80A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.2V @ 40µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
标准包装 500
供应商设备封装 PG-TO220-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 6.7 mOhm @ 80A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 79W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 5680pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 75nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 IPP80N06S4L
零件号别名 IPP80N06S4L07AKSA1 SP000415710
RoHS RoHS Compliant

IPP80N06S4L-07系列产品

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